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VUM 85-05A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
MOSFET T 1
V GS(th)
I GSS
V DS = ± 20 V,
V GS = ± 20 V,
I D = 30 mA
V DS = 0 V
2
3
4
± 1.5
V
μA
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0 V
V DS = 0,8?V DSS , V GS = 0 V, T VJ = 125 ° C
0.5
1
1.4
7
mA
mA
R DS(on)
I D = ? I D25 , V GS = 10 V, pulse test
t ≤ 300 μs, d ≤ 2%
36 m Ω
g fs
t d(on)
V DS = 10 V,
I D = ? I D25 , t = < 300 μs
75
145
16
25
S
ns
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Q g
Q gs
Q g
V DS = ? V DSS , I D = ? I D25 , V GS = 15 V
R G = 1 Ω , L = 100 μH, T VJ = 125 ° C
V DS = 25 V, f = 1 MHz, V GS = 0 V
V DS = ? V DSS , I D = ? I D25 , V GS = 15 V
33
65
30
30
3
1
945
195
435
45
80
40
1120
280
595
ns
ns
ns
nF
nF
nF
nC
nC
nC
R thJC
0.09 K/W
R thCH
Single Phase Bridge Th1, D2, D3, D4
0.05
K/W
V F , V T
I F , I T = 45 A,
T VJ = 25 ° C
T VJ =125 ° C
1.50
1.55
V
V
I RRM , I DRM
V D , V R = V DRM , V RRM , T VJ = 25 ° C
V D , V R = 0,8?V DRM , V RRM , T VJ = 125 ° C
0.5
1
1.4
7
mA
mA
V T0
r T
For power-loss calculations only
T VJ = 150 ° C
0.85 V
14 m Ω
V GT
I GT
V GD
I GD
V RGM
I H
I L
V D = 6 V
V D = 2 / 3 V DRM , T VJ = 150 ° C
V D = 6 V, R GK = oo
I G = 0.45 A, di G /dt = 0.45 A/μs, t p = 10 μs
1.5
100
0.2
5
10
200
450
V
mA
V
mA
V
mA
mA
(di/dt) cr
I G = 0.45A, di G /dt = 0.45A/μs, t p = 200μs, f = 50Hz
V D = 2 / 3 V DRM , T VJ = 150 ° C, I T = 45 A, repetitive
I G = 0.45A, di G /dt = 0.45A/μs, t p = 200μs, f = 50Hz
V D = 2 / 3 V DRM , T VJ = 150 ° C, I T = I DAV , non-repetitive
150 A/μs
500 A/μs
I T = 20 A, di/dt = -10 A/μs, V R = 100 V, V D = / 3 V DRM 150
t gd
t q
I G = 0.45 A, di G /dt = 0.45 A/μs, V D = ? V DRM
t p = 200 μs, dv/dt = 15 V/μs, T VJ = 150 ° C
2
2
μs
μs
P GM
I T = I d(AV) , T VJ = 150 ° C
t p = 30 μs
10
W
P GAVM
t p = 300 μs
5
0,5
W
W
R thJC
DC per diode / thyristor
1.3 K/W
R thCH
DC per diode / thyristor
0.4
K/W
? 2006 IXYS All rights reserved
2-3
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